TSV工藝流程與電學特性研究
本文報道了TSV過程的細節。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們華林科納研究了TSV的電學特性，結果表明TSV具有低電阻和低電容；小的...
2022-06-16 170
中國臺灣知名電子企業22年Q1業績 富士康、臺積電、聯發科
蘋果供應商富士康(Foxconn Technology Group，鴻海精密)2022年第一季度利潤好于預期。富士康1-3月凈利潤增長4.6%，至新臺幣294.5億元；收入增長4.5%，至新臺幣1.408萬億元(約477億美元)。 和碩(PEGATRON C...
2022-06-16 408
使用硬掩模進行更精細的硅通孔蝕刻
引言 隨著對多功能移動消費電子設備需求的增加，半導體芯片互連密度的復雜性不斷增加。傳統的芯片到封裝集成(CPI)使用引線鍵合將鍵合焊盤互連到封裝引線。隨著芯片規模向原子級發展，采...
2022-06-15 1862
設計一顆IC芯片時究竟有哪些步驟
昨天的文章中金譽半導體就提到了，芯片制作的第一個步驟就是制定芯片方案設計，只有把芯片的內部制造方案設計出來后，才能根據這個方案一步步完成。目前有很多專業的IC芯片方案設計公...
2022-06-15 2027
【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用
點擊藍字關注我們摘要介紹德令哈市新能源有軌電車示范線工程采用剩余電流式電氣火災探測器，就地組網方式，通過現場總線通訊遠傳至后臺，從而實現剩余電流式電氣火災監控系統的搭建，...
2021-11-19 85
AI深入到每一條產線 從昇騰AI助力富士康產線升級
數智時代，以人工智能為驅動力的智能制造成為工業制造的核心，“十四五”規劃綱要也明確提出未來創新的重點在實體經濟，更在制造業。 乘著AI技術的東風，數字化轉型成為中國制造企業的...
2022-06-15 747
國產電腦迎來新風口 永銘電容助力實現關鍵零部件突破
5月28號，Canalys公布了2022年第一季度國內市場的PC和平板電腦銷售情況。這份報告中提到 ， 一季度銷售榜單中聯想摘得桂冠，共計出貨430萬臺，占據了37%的市場份額，其中華為在一季度實現了...
2022-06-14 211
硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響
新的微電子產品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產生殘余缺陷，導致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學蝕刻方法主要用于生產具有所需厚度的光滑表面的可靠薄...
2022-06-14 214
佳能新發售KrF半導體光刻機的Grade10升級包
佳能將于2022年8月初發售KrF※1半導體光刻機“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產能升級配件包（以下簡稱“Grade10”升級包）。KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a” 自發售至今，已經在生產存儲器和邏輯電路的...
2022-06-14 571
柔性振動盤視覺上料系統
柔性振動盤是一種適用于工業自動化生產中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盤、柔性振盤、柔性供料器等。弗萊克斯柔性振動盤有五種規格，分別是FF100-FF500，能夠解決大小不一...
2021-02-20 517
聚焦IGBT產業鏈上的封裝環節 為IGBT國產化保駕護航
與普通IC芯片相比，IGBT減薄工藝更難解決，對封裝設備要求更高。更柔性、更穩定、更精準、更快速的高精度芯片貼裝設備是IGBT國產化的關鍵之一。...
2022-06-13 633
西安紫光國芯受邀出席西安市半導體及集成電路產業鏈投資推介會
6月10日，芯耀長安·“鏈”接未來—西安市半導體及集成電路產業鏈投資推介會舉辦。西安紫光國芯受邀出席，西安紫光國芯董事、總裁江喜平作為集成電路設計企業代表發言，與省、市相關部...
2022-06-12 998
硅片減薄蝕刻技術：RIE技術將硅片減薄到小于20微米
引言 高效交叉背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，從而為家庭消費提供足夠的能量。我們華林科納認為，借助光阱方案，適當鈍化的IBC電池即使厚度小于20μm也能保持20%的效...
2022-06-10 3768
蝕刻工藝表征實驗報告研究
初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數是厚度和側壁角度。如果可能，對橫截面進行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟...
2022-06-10 3746
紫光國微旗下紫光青藤入選國家鼓勵的重點集成電路設計企業清單
為持續優化集成電路產業發展環境，鼓勵企業提升產業創新能力，國家發展改革委、工業和信息化部、財政部、海關總署、稅務總局聯合發出《關于做好2022年享受稅收優惠政策的集成電路企業...
2022-06-10 963
通過一體式蝕刻工藝來減少通孔的缺陷
引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術開發過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的...
2022-06-01 6003
濕法清洗過程中的顆粒沉積和去除研究
摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而，粒子沉積和清除機制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機理酸性溶液的濃度，并隨著溶液pH值的增加而降低，在使用折痕...
2022-06-01 5173
封測企業華進半導體榮獲無錫高新區科技創新貢獻獎
2022年5月30日，無錫高新區（新吳區）召開全區人才工作暨科技創新大會，華進半導體榮獲“2021年度區科技創新貢獻獎”、“2021年度區科技創新資金重點獎勵企業”，華進半導體總經理孫鵬上臺...
2022-05-31 897
22nm互連的光刻蝕刻后殘留去除的挑戰和新方法
本文描述了我們華林科納研究去除金屬硬掩模蝕刻后光致抗蝕劑去除和低k蝕刻后殘留物去除的關鍵挑戰并概述了一些新的非等離子體為基礎的方法。 隨著圖案尺寸的不斷減小，金屬硬掩模(MH...
2022-05-31 2275
半導體工業中表面處理和預清洗的重要性
半導體工業中表面處理和預清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導體接觸的低電阻，酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對于去除有機殘留物和表面氧化物是必...
2022-05-26 598
KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經進行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會出現不同形狀的底切...
2022-05-24 628
聯電新加坡晶圓廠P3開始動工，預計2024年底實現量產
今年3月份，聯電曾計劃咋新加坡Fab12i廠區新建晶圓廠，共計花費50億美元，預計將在2024年底實現量產。 日前，聯電新加坡的新晶圓廠P3正式開始動工，并且以9.54億新臺幣的價格取得了30年的土...
2022-05-24 953
等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案
我們華林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問題（從有機硅化合物）的問題，特別注意表面條件，以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質與精密的表面分析裝置不兼容，講了...
2022-05-19 733
污染和清洗順序對堿性紋理化的影響
本文介紹了我們華林科納研究了污染和清洗順序對堿性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金字塔密度的影響不小...
2022-05-18 494
晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響
本實驗通過這兩種清洗方法進行標識分為四個實驗組，進行了清洗實驗及室溫接合， 以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在大氣中的灰塵等雜質...
2022-05-16 652
一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法
本文展示了一種使用連續濕法化學表面活化(即SPM→RCAl清洗)結合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經過200 ℃的多步后退火，獲得了無空洞或微裂紋的牢固結合，基于詳細的表面和鍵合界面表征，...
2022-05-13 854
詳解化學鎳沉積技術的沉積過程
本文報道了這種化學鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學鎳碰撞質量的影響，以幫助詳細了解活化機理，并確定它們對化學...
2022-05-13 712
不同清洗方法對納米顆粒表征的影響
本文介紹了我們華林科納研究不同清洗方法（離心和透析）對15納米檸檬酸鈉穩定納米顆粒表面化學和組成的影響，關于透析過程，核磁共振分析表明，經過9個清洗周期后，檸檬酸濃度與第一次...
2022-05-12 475
三種化學溶液在InP光柵襯底清洗的應用
我們華林科納研究了三種化學溶液，用于在分布反饋激光器應用的InP外延生長之前清洗光柵。這些化學物質是濃縮的HMSO和n< SO，H2 2的混合溶液，其中n =β和...
2022-05-12 425
使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造（下）
接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進一步各向異性蝕...
2022-05-11 339
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